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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應用
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續產(chǎn)品。全新超結MOSFET實(shí)現了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動(dòng)汽車(chē)充電器、微型太陽(yáng)能等廣泛應用。這些元件采
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瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過(guò)車(chē)規認證
- 6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)車(chē)規級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續將依托浙江義烏的車(chē)規級SiC晶圓廠(chǎng)推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領(lǐng)域的高科技芯片公司，致力于開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率
- 隨著(zhù)人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務(wù)器電源（PSU）必須在不超出服務(wù)器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關(guān)特定客戶(hù)需求的出現，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開(kāi)發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?，F在，英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術(shù)，推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET
- 全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車(chē)功率管理應用的600 V CoolMOS? S7TA超級結MOSFET。S7TA專(zhuān)為滿(mǎn)足汽車(chē)電子部件的特殊要求而設計，其集成溫度傳感器在工業(yè)應用同類(lèi)產(chǎn)品（CoolMOS? S7T）取得的進(jìn)步基礎上，顯著(zhù)提高了結溫傳感的精度，因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車(chē)領(lǐng)域至關(guān)重要的優(yōu)勢。與同系列中的工業(yè)級產(chǎn)品一樣，車(chē)規級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態(tài)繼電器（SSR）應用。它具有出色的RDS(on)?
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2023年SiC功率元件營(yíng)收排名，ST以32.6%市占率穩居第一
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車(chē)應用的驅動(dòng)下保持強勁成長(cháng)，前五大SiC功率元件供應商約占整體營(yíng)收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢(xún)分析，2024年來(lái)自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著(zhù)大增，然而，純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(cháng)速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應鏈，預計2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(cháng)幅度將較過(guò)去幾年顯著(zhù)收斂。作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFE
- 關(guān)鍵字： SiC 功率元件 ST
碳化硅的新爆發(fā)
- 隨著(zhù)全球對于電動(dòng)汽車(chē)接納程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未來(lái)十年將會(huì )迎來(lái)全新的增長(cháng)契機。預計將來(lái)，功率半導體的生產(chǎn)商與汽車(chē)行業(yè)的運作方會(huì )更踴躍地參與到這一領(lǐng)域的價(jià)值鏈建設里。SiC 作為第三代半導體以其優(yōu)越的性能，在今年再次掀起風(fēng)潮。6 英寸到 8 英寸的過(guò)渡推動(dòng)由于截至 2024 年開(kāi)放 SiC 晶圓市場(chǎng)缺乏批量出貨，因此 8 英寸 SiC 平臺被認為具有戰略性意義。SiC 具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度和高遷移率等特點(diǎn)，是良好的半導體材料，目前已經(jīng)在汽車(chē)電子、工業(yè)半導體等領(lǐng)域有
- 關(guān)鍵字： SiC
純電車(chē)需求放緩 SiC功率組件業(yè)年營(yíng)收動(dòng)能降溫
- 在純電動(dòng)汽車(chē)應用的驅動(dòng)下，根據TrendForce研究顯示，2023年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)保持強勁成長(cháng)，但2024年純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(cháng)速度的明顯放緩與工業(yè)需求走弱，預估今年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(cháng)幅度將較過(guò)去幾年顯著(zhù)收斂。根據TrendForce研究顯示，2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營(yíng)收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFET供貨商，ST正在意大利卡塔尼亞打
- 關(guān)鍵字： 純電車(chē) SiC 功率組件 TrendForce
GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，車(chē)用功率器件市場(chǎng)格局將改寫(xiě)
- 根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復合年增長(cháng) (CAGR) 將高于45%，其中表現最為搶眼的是汽車(chē)與出行市場(chǎng)（automotive & mobility），“從無(wú)到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場(chǎng)（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場(chǎng)成長(cháng)則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著(zhù)GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，功率器件器件市場(chǎng)競爭格局或將被改寫(xiě)。圖1：在GaN市場(chǎng)份額變化中，汽車(chē)與出行市場(chǎng) “從無(wú)到有”，五年后
- 關(guān)鍵字： GaN 車(chē)用功率器件 Transphorm SiC
一文了解SiC MOS的應用
- 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實(shí)現更低的開(kāi)關(guān)和導通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著(zhù)提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車(chē)空調、新能
- 關(guān)鍵字： SiC MOS 碳化硅 MOSFET
新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車(chē)應用中的導通電阻、設計穩健性和開(kāi)關(guān)效率
- 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車(chē)應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩健且無(wú)鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來(lái)的48 V汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)助力轉向、制動(dòng)系統、新區域架構中的功率開(kāi)關(guān)、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統應用中的直流/直流和BLDC驅動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車(chē)（LEV）、電動(dòng)二輪車(chē)、電動(dòng)踏板車(chē)、電動(dòng)摩
- 關(guān)鍵字： 英飛凌科技 汽車(chē)應用 OptiMOS? 7 MOSFET
使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節點(diǎn)設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
- 關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
低導通電阻SiC器件在大電流高功率應用中的優(yōu)越性
- 眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導體材料，因其高擊穿場(chǎng)強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用，可有效突破傳統Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開(kāi)關(guān)器件是SiC MOSFET，與傳統Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應用中實(shí)現高頻、高效、高能量密度、低成本的目標，從而推動(dòng)電力電子系統的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場(chǎng)景對應的功率等級2從技術(shù)上講，
- 關(guān)鍵字： 低導通電阻 SiC 大電流 高功率
SiC 功率器件中的溝槽結構測量
- 汽車(chē)和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實(shí)現這一點(diǎn)。但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來(lái)了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來(lái)說(shuō)，準確測量外延層生長(cháng)和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時(shí)。今天我們分享一下來(lái)自Onto Innovation 應用開(kāi)發(fā)總監Nick Keller的文章，來(lái)重點(diǎn)介紹下SiC 功率器
- 關(guān)鍵字： SiC 功率器件 溝槽結構測量
設計基于SiC的電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電機
- 電動(dòng)汽車(chē)（EV）直流快速充電機繞過(guò)安裝在電動(dòng)汽車(chē)上的車(chē)載充電機，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優(yōu)化系統效率的同時(shí)最大限度縮短充電時(shí)間是直流快速充電機的主要關(guān)注點(diǎn)。在設計此類(lèi)系統時(shí)，必須考慮器件選型、電壓范圍和負載要求、運行成本、溫度、堅固性和環(huán)境保護，以及可靠性。相比傳統硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導通損耗更小、漏電流
- 關(guān)鍵字： SiC 電動(dòng)汽車(chē) 直流快速充電機 Wolfspeed
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數據表中的典型V
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET RSP
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